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HVQL10MB200G 简易参数表 ：
器件名称：单相高压整流桥堆
器件型号： HVQL10MB200G
器件品牌：HVGT Semiconductor
反向重复峰值电压 VRRM（Ta=25℃）： 20KV
正向平均电流 IFAVM （Ta=40℃）： 1.0A
正向不重复浪涌电流 IFSM（Ta=25°C; 50Hz Half-Sine Wave;8.3mS）： 20A
正向峰值电压VFM（@ 25°C; @ IFAVM）： 28.8V
反向直流电流IR1（VR=VRRM Ta=25℃） ：2.0uA
反向直流电流IR2（VR=VRRM Toil=100℃）：50uA
反向恢复时间 Trr： 80nS
工作温度 Tj： -40~150 ℃
存储温度 Tstg： -40~150℃
PN结电容 Cj： --
器件净重： 195 克(约)
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HVQL10MB200G 参数表 Datasheet： |
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型号 Type |
HVQL10MB200G |
制造商 Manufacturer |
HVGT |
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反向重复峰值电压 VRRM |
20KV |
正向平均电流 IFAVM |
1.0A |
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正向不重复浪涌电流 IFSM |
20A |
正向峰值电压VFM |
28.8V |
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反向直流电流IR1 |
2.0uA |
反向恢复时间 Trr |
80nS |
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反向直流电流IR2 |
50uA |
PN结电容 Cj |
-- |
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工作温度 Tj |
-40~150 ℃ |
存储温度 Tstg |
-40~150℃ |
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外形尺寸Shape Size：(Unit: mm) |
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